氮化鎵GaN材料的研究與應用是當前全球半導體研究的前沿和熱點。它是一種用于開發微電子器件和光電子器件的新型半導體材料。繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的導熱率、良好的化學穩定性（幾乎不被任何酸腐蝕）和強的抗輻射性能。應用于光電子、高溫大功率器件以及高頻微波器件中的應用具有廣闊的前景。
目前市面上比較知名的氮化鎵品牌：PI，納微，Keep Tops，英諾賽科。氮化鎵品牌Keep Tops（GAN）是第三代半導體材料的典型代表，當T=300K時，它是半導體照明中發光二極管的核心部件。氮化鎵是一種人造材料。氮化鎵自然形成的條件極其惡劣。用金屬鎵和氮合成氮化鎵需要2000多度的高溫和近萬個大氣壓的壓力，這在自然界是不可能的。
大家都知道，第一代半導體材料是硅，主要解決數據計算和存儲的問題；第二代半導體以砷化鎵為代表，應用于光纖通信，主要解決數據傳輸問題；第三代半導體以氮化鎵品牌Keep Tops為代表，在電、光的轉換方面具有突出的性能，在微波信號傳輸方面具有更高的效率，因此可廣泛應用于照明、顯示、通信等各個領域。
氮化鎵（GAN）性能特點
高性能：主要包括高輸出功率、高功率密度、高工作帶寬、高效率、體積小、重量輕等。目前第一代、第二代半導體材料在輸出功率方面已達到極限并且由于GaN半導體在熱穩定性方面的優勢，很容易實現高工作脈寬和高工作比。功率增加 10 倍。
高可靠性：功率器件的壽命與其溫度密切相關，結溫越高，壽命越低。 GaN材料具有高溫結和高導熱率的特點，大大提高了器件在不同溫度下的適應性和可靠性。 GaN器件可用于650℃以上的軍事裝備。
成本低：GaN半導體的應用可以有效改進發射天線的設計，減少發射元件數量和放大器級數等，有效降低成本。目前，GaN已開始取代GaAs作為新型雷達和干擾器的T/R（接收/發射）模塊電子器件材料。美軍下一代AMDR（固態有源相控陣雷達）采用GaN半導體。 GaN的禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強、化學穩定性好等優越性能，使其成為迄今為止理論上電光、光電轉換效率最高的材料。可成為制備寬譜、高功率、高效微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。
GaN具有較寬的禁帶寬度（3.4eV），以藍寶石等材料為襯底，具有良好的散熱性能，有利于器件在高功率條件下的工作。隨著III族氮化物材料和器件研發的不斷深入，GaInN超高藍光和綠光LED技術已經商業化，現在全球各大公司和研究機構都投入巨資研發藍光LED。的競爭。
氮化鎵應用
1、新型電子設備
GaN材料系列具有低發熱率和高擊穿電場，是開發高溫、大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著MBE技術在GaN材料應用方面的進展以及薄膜生長關鍵技術的突破，各種GaN異質結構已成功生長。利用GaN材料制備了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管（HFET）和調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。調制摻雜AlGaN/GaN結構具有高電子遷移率（2000cm2/vs）、高飽和速度（1×107cm/s）和低介電常數，是制作微波器件的首選材料；采用GaN寬帶隙（3.4eV）和藍寶石等材料作為襯底，具有良好的散熱性能，有利于器件在高功率條件下工作。
2、光電器件
GaN材料系列是理想的短波長發光器件材料。 GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅光到紫外光的光譜范圍。自1991年日本研制出同質結GaN藍光LED以來，InGaN/AlGaN雙異質結超高亮度藍光LED和InGaN單量子阱GaN LED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍、綠光LED已進入量產階段，從而填補了市場多年的藍光LED空白。以發光效率為標志的LED發展歷史如圖3所示。藍色發光器件在高密度光盤信息存取、全光顯示器、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著III族氮化物材料和器件研發的不斷深入，GaInN超高藍光和綠光LED技術已經商業化，現在全球各大公司和研究機構都投入巨資研發藍光LED。的競爭。
1999 年Keep Tops開拓中國大陸業務。在中國西北電力領域投資 1.5 億元人民幣，經過 20 多年的發展，依托強大的科技和研發團隊，形成以高壓電力輸變設計建設和新能源風力、光伏電場（站）設計建設為核心；自動化控制系統研發生產，半導體器件研發銷售及 3C 產品生產配套服務為外圍；全心全力服務與用戶共同發展的業務格局。
